M474A1G43DB0-CPB - DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
124225 Pieces
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Specifiche per M474A1G43DB0-CPB
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
M474A1G43DB0-CPB
fabbricante :
Samsung Semiconductor
Descrizione :
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL
Serie :
DDR3
DDR :
DDR4
Dimm Tipo :
ECC SODIMM
Densità :
8 GB
Classifica x Org. :
2R x 8
Velocità :
2133 Mbps
Voltaggio :
1.2 V
Numero Pin :
260
Composizione componente :
(512M x 8) x 18
Stato prodotto :
EOL
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per M474A1G43DB0-CPB
Schede tecniche :
M474A1G43DB0-CPB.pdf
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