EDB4064B4PB-1D-F-R TR - IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

codice articolo del costruttore

EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Numero parte interna

AX-EDB4064B4PB-1D-F-R TR

fabbricante

Micron Technology Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

70125 Pieces

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Specifiche per EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EDB4064B4PB-1D-F-R TR

fabbricante : Micron Technology Inc.

Descrizione : IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria : 4Gb (64M x 64)

Frequenza di clock : 533MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -

Tempo di accesso : -

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.14V ~ 1.95V

temperatura di esercizio : -30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 216-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 216-WFBGA (12x12)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EDB4064 , EDB4064B4P

Documenti per EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Schede tecniche : EDB4064B4PB-1D-F-R TR.pdf

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