H5N2007LSTL-E - MOSFET N-CH HS SW TO-263

codice articolo del costruttore

H5N2007LSTL-E

Numero parte interna

AX-H5N2007LSTL-E

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH HS SW TO-263

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

67745 Pieces

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Specifiche per H5N2007LSTL-E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : H5N2007LSTL-E

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH HS SW TO-263

Serie : *

Stato parte : Last Time Buy

Tipo FET : -

Tecnologia : -

Drain to Source Voltage (Vdss) : -

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : -

Pacchetto dispositivo fornitore : -

Pacchetto / caso : -

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : H5N2 , H5N200

Documenti per H5N2007LSTL-E

Schede tecniche : H5N2007LSTL-E.pdf

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