ZXMN10A08DN8TC - MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

codice articolo del costruttore

ZXMN10A08DN8TC

Numero parte interna

AX-ZXMN10A08DN8TC

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

26523 Pieces

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Specifiche per ZXMN10A08DN8TC

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ZXMN10A08DN8TC

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 405pF @ 50V

Potenza - Max : 1.25W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ZXMN , ZXMN10A

Documenti per ZXMN10A08DN8TC

Schede tecniche : ZXMN10A08DN8TC.pdf

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