RDN120N25FU6 - MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per RDN120N25FU6

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : RDN120N25FU6
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1224pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 40W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220FN
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : RDN1 , RDN120

Documenti per RDN120N25FU6

Schede tecniche : RDN120N25FU6.pdf

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