CDBJSC10650-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
97005 Pieces
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Specifiche per CDBJSC10650-G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
CDBJSC10650-G
fabbricante :
Comchip Technology
Descrizione :
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
650V
Corrente: media rettificata (Io) :
10A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 10A
Velocità :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
100µA @ 650V
Capacità @ Vr, F :
710pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto / caso :
TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-220F
Temperatura operativa - Giunzione :
-55°C ~ 175°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per CDBJSC10650-G
Schede tecniche :
CDBJSC10650-G.pdf
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