SI7909DN-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
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Numero parte interna
fabbricante
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MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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27909 Pieces
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Specifiche per SI7909DN-T1-E3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI7909DN-T1-E3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potenza - Max :
1.3W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI7909DN-T1-E3
Schede tecniche :
SI7909DN-T1-E3.pdf
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