NVMFS6B85NLWFT1G - MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
21553 Pieces
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Specifiche per NVMFS6B85NLWFT1G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NVMFS6B85NLWFT1G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
5.6A (Ta), 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
46 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
7.9nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
480pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.5W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN, 5 Leads
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NVMFS6B85NLWFT1G
Schede tecniche :
NVMFS6B85NLWFT1G.pdf
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