NVMFS6B85NLWFT1G - MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

codice articolo del costruttore

NVMFS6B85NLWFT1G

Numero parte interna

AX-NVMFS6B85NLWFT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

21553 Pieces

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Specifiche per NVMFS6B85NLWFT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVMFS6B85NLWFT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.6A (Ta), 19A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.5W (Ta), 42W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVMFS , NVMFS6B8

Documenti per NVMFS6B85NLWFT1G

Schede tecniche : NVMFS6B85NLWFT1G.pdf

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