IRF7807VD2TR - MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF7807VD2TR
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
65275 Pieces
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Specifiche per IRF7807VD2TR
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IRF7807VD2TR
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Serie :
FETKY™
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
8.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caratteristica FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) :
2.5W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SO
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IRF7807VD2TR
Schede tecniche :
IRF7807VD2TR.pdf
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