R6012ANJTL - MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

codice articolo del costruttore

R6012ANJTL

Numero parte interna

AX-R6012ANJTL

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

243790 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per R6012ANJTL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : R6012ANJTL

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : LPTS

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : R60 , R6012

Documenti per R6012ANJTL

Schede tecniche : R6012ANJTL.pdf

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