BUK9Y9R9-80E,115 - MOSFET N-CH 80V LFPAK

codice articolo del costruttore

BUK9Y9R9-80E,115

Numero parte interna

AX-BUK9Y9R9-80E,115

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 80V LFPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

24794 Pieces

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Specifiche per BUK9Y9R9-80E,115

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BUK9Y9R9-80E,115

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 80V LFPAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / caso : SC-100, SOT-669

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BUK9Y , BUK9Y9R9

Documenti per BUK9Y9R9-80E,115

Schede tecniche : BUK9Y9R9-80E,115.pdf

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