DMN6069SE-13 - MOSFETN-CH 60VSOT223

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFETN-CH 60VSOT223
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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2193585 Pieces
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Specifiche per DMN6069SE-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : DMN6069SE-13
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFETN-CH 60VSOT223
Serie : Automotive, AEC-Q101
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.3A (Ta), 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 69 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 825pF @ 30V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.2W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-223
Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : DMN6 , DMN606

Documenti per DMN6069SE-13

Schede tecniche : DMN6069SE-13.pdf

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