FDMS10C4D2N - MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDMS10C4D2N
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
295720 Pieces
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Specifiche per FDMS10C4D2N
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FDMS10C4D2N
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4500pF @ 50V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
125W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FDMS10C4D2N
Schede tecniche :
FDMS10C4D2N.pdf
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