SI1958DH-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
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MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI1958DH-T1-E3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI1958DH-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 205 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 105pF @ 10V
Potenza - Max : 1.25W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore : SC-70-6 (SOT-363)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI1958DH-T1-E3
Schede tecniche : SI1958DH-T1-E3.pdf
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