FQD13N06LTM - MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FQD13N06LTM
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2376895 Pieces
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Specifiche per FQD13N06LTM
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FQD13N06LTM
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Serie : QFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.4nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 28W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : D-Pak
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per FQD13N06LTM
Schede tecniche : FQD13N06LTM.pdf
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