PSMN4R8-100BSEJ - MOSFET N-CH 100V D2PAK

codice articolo del costruttore

PSMN4R8-100BSEJ

Numero parte interna

AX-PSMN4R8-100BSEJ

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

269895 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per PSMN4R8-100BSEJ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PSMN4R8-100BSEJ

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 100V D2PAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tj)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 278nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 405W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per PSMN4R8-100BSEJ

Schede tecniche : PSMN4R8-100BSEJ.pdf

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