PMPB11EN,115 - MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-PMPB11EN,115
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2517665 Pieces
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Specifiche per PMPB11EN,115
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
PMPB11EN,115
fabbricante :
Nexperia USA Inc.
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
20.6nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
840pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
DFN2020MD-6
Pacchetto / caso :
6-UDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per PMPB11EN,115
Schede tecniche :
PMPB11EN,115.pdf
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