VS-GT300YH120N - IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per VS-GT300YH120N
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : VS-GT300YH120N
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo IGBT : Trench
Configurazione : Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 341A
Potenza - Max : 1042W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Corrente - Limite del collettore (max) : 300µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce : 36nF @ 30V
Ingresso : Standard
Termistore NTC : No
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : Double INT-A-PAK (3 + 8)
Pacchetto dispositivo fornitore : Double INT-A-PAK
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per VS-GT300YH120N
Schede tecniche : VS-GT300YH120N.pdf
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