2SJ380(F) - MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

codice articolo del costruttore

2SJ380(F)

Numero parte interna

AX-2SJ380(F)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

7968 Pieces

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Specifiche per 2SJ380(F)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2SJ380(F)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 35W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220NIS

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 2SJ , 2SJ3

Documenti per 2SJ380(F)

Schede tecniche : 2SJ380(F).pdf

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