W987D2HBJX7E - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

codice articolo del costruttore

W987D2HBJX7E

Numero parte interna

AX-W987D2HBJX7E

fabbricante

Winbond Electronics

Breve descrizione

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

214765 Pieces

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Specifiche per W987D2HBJX7E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : W987D2HBJX7E

fabbricante : Winbond Electronics

Descrizione : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria : 128Mb (4M x 32)

Frequenza di clock : 133MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns

Tempo di accesso : 5.4ns

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.95V

temperatura di esercizio : -25°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 90-VFBGA (8x13)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : W987 , W987D2

Documenti per W987D2HBJX7E

Schede tecniche : W987D2HBJX7E.pdf

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