FDMS3660AS - MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN

codice articolo del costruttore

FDMS3660AS

Numero parte interna

AX-FDMS3660AS

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

692125 Pieces

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Specifiche per FDMS3660AS

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDMS3660AS

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2230pF @ 15V

Potenza - Max : 1W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : Power56

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDM , FDMS3

Documenti per FDMS3660AS

Schede tecniche : FDMS3660AS.pdf

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