DMG4N65CT - MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

codice articolo del costruttore

DMG4N65CT

Numero parte interna

AX-DMG4N65CT

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

380160 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per DMG4N65CT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMG4N65CT

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.19W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-3

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per DMG4N65CT

Schede tecniche : DMG4N65CT.pdf

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