DMN3030LSS-13 - MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

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fabbricante
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MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per DMN3030LSS-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : DMN3030LSS-13
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 741pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : DMN3 , DMN303

Documenti per DMN3030LSS-13

Schede tecniche : DMN3030LSS-13.pdf

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