EPC2015 - GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-EPC2015
fabbricante
Breve descrizione
GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
10080 Pieces
Prezzo di riferimento
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Specifiche per EPC2015
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : EPC2015
fabbricante : EPC
Descrizione : GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Stato parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 33A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.6nC @ 5V
Vgs (massimo) : +6V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 20V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : -
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : Die Outline (11-Solder Bar)
Pacchetto / caso : Die
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per EPC2015
Schede tecniche : EPC2015.pdf
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