TSM10NC65CF C0G - MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per TSM10NC65CF C0G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : TSM10NC65CF C0G
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1650pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 45W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : ITO-220S
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : TSM10 , TSM10NC

Documenti per TSM10NC65CF C0G

Schede tecniche : TSM10NC65CF C0G.pdf

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