SISF00DN-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

codice articolo del costruttore

SISF00DN-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SISF00DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

670410 Pieces

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Specifiche per SISF00DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SISF00DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 15V

Potenza - Max : 69.4W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8SCD

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8SCD

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SISF0 , SISF00D

Documenti per SISF00DN-T1-GE3

Schede tecniche : SISF00DN-T1-GE3.pdf

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