TSM4ND65CI - 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-TSM4ND65CI
fabbricante
Breve descrizione
650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
410180 Pieces
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Specifiche per TSM4ND65CI
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TSM4ND65CI
fabbricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione :
650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
16.8nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
596pF @ 50V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
41.6W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
ITO-220
Pacchetto / caso :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TSM4ND65CI
Schede tecniche :
TSM4ND65CI.pdf
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