AS4C32M16D1-5BINTR - IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
139185 Pieces
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Specifiche per AS4C32M16D1-5BINTR
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
AS4C32M16D1-5BINTR
fabbricante :
Alliance Memory, Inc.
Descrizione :
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo di memoria :
Volatile
Formato di memoria :
DRAM
Tecnologia :
SDRAM - DDR
Dimensione della memoria :
512Mb (32M x 16)
Frequenza di clock :
200MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina :
15ns
Tempo di accesso :
700ps
Interfaccia di memoria :
Parallel
Tensione - Fornitura :
2.3V ~ 2.7V
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore :
60-TFBGA (8x13)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per AS4C32M16D1-5BINTR
Schede tecniche :
AS4C32M16D1-5BINTR.pdf
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