RS1E170GNTB - MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-RS1E170GNTB
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2154870 Pieces
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Specifiche per RS1E170GNTB
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
RS1E170GNTB
fabbricante :
Rohm Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
17A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3W (Ta), 23.7W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-HSOP
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per RS1E170GNTB
Schede tecniche :
RS1E170GNTB.pdf
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