BSO211PNTMA1 - MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC

codice articolo del costruttore

BSO211PNTMA1

Numero parte interna

AX-BSO211PNTMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

25823 Pieces

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Specifiche per BSO211PNTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSO211PNTMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 15V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : P-DSO-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSO2 , BSO211

Documenti per BSO211PNTMA1

Schede tecniche : BSO211PNTMA1.pdf

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