SPI11N65C3HKSA1 - MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

codice articolo del costruttore

SPI11N65C3HKSA1

Numero parte interna

AX-SPI11N65C3HKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

22352 Pieces

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Specifiche per SPI11N65C3HKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SPI11N65C3HKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Serie : CoolMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO262-3-1

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SPI11 , SPI11N6

Documenti per SPI11N65C3HKSA1

Schede tecniche : SPI11N65C3HKSA1.pdf

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