TK2P60D(TE16L1,NQ) - MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per TK2P60D(TE16L1,NQ)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : TK2P60D(TE16L1,NQ)
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Serie : π-MOSVII
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 60W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PW-MOLD
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : TK2P60 , TK2P60D(T

Documenti per TK2P60D(TE16L1,NQ)

Schede tecniche : TK2P60D(TE16L1,NQ).pdf

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