NCP81075DR2G - HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-NCP81075DR2G
fabbricante
Breve descrizione
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
493740 Pieces
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Specifiche per NCP81075DR2G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NCP81075DR2G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Serie :
-
Stato parte :
Active
Configurazione guidata :
High-Side or Low-Side
Tipo di canale :
Independent
Numero di driver :
2
Gate Type :
N-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura :
8.5V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH :
0.8V, 2.7V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) :
4A, 4A
Tipo di input :
Non-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) :
200V
Rise / Fall Time (Typ) :
8ns, 7ns
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 140°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SOIC
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NCP81075DR2G
Schede tecniche :
NCP81075DR2G.pdf
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