DMN65D8LQ-7 - MOSFET N-CH 60V SOT23

codice articolo del costruttore

DMN65D8LQ-7

Numero parte interna

AX-DMN65D8LQ-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V SOT23

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

10979265 Pieces

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Specifiche per DMN65D8LQ-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN65D8LQ-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 60V SOT23

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 310mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 115mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.87nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 370mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN , DMN65

Documenti per DMN65D8LQ-7

Schede tecniche : DMN65D8LQ-7.pdf

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