IRF7901D1TR - MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF7901D1TR
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
26089 Pieces
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Specifiche per IRF7901D1TR
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF7901D1TR
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Serie : FETKY™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 16V
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRF7901D1TR
Schede tecniche : IRF7901D1TR.pdf
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