TSM024NA04LCR RLG - MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per TSM024NA04LCR RLG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : TSM024NA04LCR RLG
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 170A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4224pF @ 20V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PDFN (5x6)
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : TSM02 , TSM024NA

Documenti per TSM024NA04LCR RLG

Schede tecniche : TSM024NA04LCR RLG.pdf

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