FDMS3669S - MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDMS3669S
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1465850 Pieces
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Specifiche per FDMS3669S
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FDMS3669S
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
Serie :
PowerTrench®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
13A, 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1605pF @ 15V
Potenza - Max :
1W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
Power56
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FDMS3669S
Schede tecniche :
FDMS3669S.pdf
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