VS-8EWF12S-M3 - DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252
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Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
132840 Pieces
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Specifiche per VS-8EWF12S-M3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : VS-8EWF12S-M3
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Corrente: media rettificata (Io) : 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 8A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 270ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252, (D-Pak)
Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per VS-8EWF12S-M3
Schede tecniche : VS-8EWF12S-M3.pdf
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