FDB024N06 - MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

codice articolo del costruttore

FDB024N06

Numero parte interna

AX-FDB024N06

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

168855 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 1.66152~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

AX Semiconductor ha FDB024N06 in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per FDB024N06. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per FDB024N06

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDB024N06

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 226nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 14885pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 395W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDB , FDB0

Documenti per FDB024N06

Schede tecniche : FDB024N06.pdf

Prodotti correlati per FDB024N06 ON Semiconductor

Numero parte	Marca	Descrizione
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WI140266WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.
CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 220PF 100V BP 1805.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 16KV SCREW.
PEF220WP60238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV SCREW.
WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
WF165336WP76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 20KV SCREW.
MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	CAP CER 10000PF 100V BP 1825.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.