IXFB80N50Q2 - MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IXFB80N50Q2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IXFB80N50Q2
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Serie : HiPerFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 15000pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 960W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PLUS264™
Pacchetto / caso : TO-264-3, TO-264AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per IXFB80N50Q2

Schede tecniche : IXFB80N50Q2.pdf

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