BSP316PE6327 - MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223

codice articolo del costruttore

BSP316PE6327

Numero parte interna

AX-BSP316PE6327

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

65955 Pieces

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Specifiche per BSP316PE6327

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSP316PE6327

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 680mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 680mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 170µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.4nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 146pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.8W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-SOT223-4

Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSP3 , BSP316

Documenti per BSP316PE6327

Schede tecniche : BSP316PE6327.pdf

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