IPD80R1K0CEBTMA1 - MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
52668 Pieces
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Specifiche per IPD80R1K0CEBTMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPD80R1K0CEBTMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Serie :
CoolMOS™
Stato parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
5.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
785pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
83W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-252-3
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPD80R1K0CEBTMA1
Schede tecniche :
IPD80R1K0CEBTMA1.pdf
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