FDMD8280 - MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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306705 Pieces
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Specifiche per FDMD8280

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDMD8280
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3050pF @ 40V
Potenza - Max : 1W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 12-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : 12-Power3.3x5
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : FDMD8280.pdf

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