SI5913DC-T1-E3 - MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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quantità disponibile
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Specifiche per SI5913DC-T1-E3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI5913DC-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Serie : LITTLE FOOT®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 84 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 10V
Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) : 1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 1206-8 ChipFET™
Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI5913DC-T1-E3
Schede tecniche : SI5913DC-T1-E3.pdf
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