FDS2672-F085 - MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

FDS2672-F085

Numero parte interna

AX-FDS2672-F085

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

20032 Pieces

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Specifiche per FDS2672-F085

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDS2672-F085

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC

Serie : Automotive, AEC-Q101, UltraFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.9A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2535pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDS2 , FDS267

Documenti per FDS2672-F085

Schede tecniche : FDS2672-F085.pdf

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