EDB5432BEBH-1DIT-F-D - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
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Specifiche per EDB5432BEBH-1DIT-F-D
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : EDB5432BEBH-1DIT-F-D
fabbricante : Micron Technology Inc.
Descrizione : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria : 512Mb (16M x 32)
Frequenza di clock : 533MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -
Tempo di accesso : -
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 1.14V ~ 1.95V
temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 134-VFBGA (10x11.5)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per EDB5432BEBH-1DIT-F-D
Schede tecniche : EDB5432BEBH-1DIT-F-D.pdf
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