DMN2015UFDF-13 - MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

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fabbricante
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MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
Stato RoHS
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Specifiche per DMN2015UFDF-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : DMN2015UFDF-13
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 15.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 42.3nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1439pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.8W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : U-DFN2020-6
Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : DMN2 , DMN2015

Documenti per DMN2015UFDF-13

Schede tecniche : DMN2015UFDF-13.pdf

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