GP2M008A060FGH - MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

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MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
Stato RoHS
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Specifiche per GP2M008A060FGH

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : GP2M008A060FGH
fabbricante : Global Power Technologies Group
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1063pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 39W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220F
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : GP2M , GP2M008

Documenti per GP2M008A060FGH

Schede tecniche : GP2M008A060FGH.pdf

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