MURTA400120R - DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

codice articolo del costruttore

MURTA400120R

Numero parte interna

AX-MURTA400120R

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6144 Pieces

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Specifiche per MURTA400120R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MURTA400120R

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Serie : -

Stato parte : Active

Configurazione diodi : 1 Pair Common Anode

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V

Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) : 200A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2.6V @ 200A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 25µA @ 1200V

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore : Three Tower

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MURT , MURTA4

Documenti per MURTA400120R

Schede tecniche : MURTA400120R.pdf

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