IXFB170N30P - MOSFET N-CH TO-264

codice articolo del costruttore

IXFB170N30P

Numero parte interna

AX-IXFB170N30P

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH TO-264

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

32543 Pieces

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Specifiche per IXFB170N30P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXFB170N30P

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH TO-264

Serie : HiPerFET™, PolarP2™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 170A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 85A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 258nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 20000pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1250W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PLUS264™

Pacchetto / caso : TO-264-3, TO-264AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXF , IXFB1

Documenti per IXFB170N30P

Schede tecniche : IXFB170N30P.pdf

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